$\textit{i}$ –$\textit{v}$ characteristic; Circuit simulation; Electrochemical impedance spectroscopy; Equivalent circuits; Integrated circuit modeling; Integrated circuits; Mazhari's equivalent circuit; Mazhari’s equivalent circuit; Numerical models; Numerical simulations; Performance; Perovskite; Perovskite solar cell; Perovskite solar cells; Perovskite solar cells (pscs); Perovskites; Photovoltaic cells; Radiative recombination; S-shaped; S-shaped
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Grant support

This work was supported in part by the Comunidad de Madrid under the SINFOTON2-CM Research Program under Grant S2018/NMT-4326-SINFOTON2-CM; and in part by the Universidad Rey Juan Carlos under Projects with Research Reference M2417, Reference M2180, and Reference M2363, under Research Program Programa de Fomento y Desarrollo de la Investigacion.

Análisis de autorías institucional

Perez-Martinez, JcAutor (correspondencia)Martin-Martin, DAutor o CoautorDel Pozo, GAutor o CoautorArredondo, BAutor o CoautorHernandez-Balaguera, EAutor o CoautorRomero, BAutor o Coautor

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27 de septiembre de 2022
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Artículo
No

Validation of Mazhari's Equivalent Circuit Model for Perovskites Solar Cells With S-Shaped J-V Curves

Publicado en:Ieee Transactions On Electron Devices. 69 (10): 1-0 - 2022-10-01 69(10), DOI: 10.1109/TED.2022.3198386

Autores: Carlos Perez-Martinez, Jose; Martin-Martin, Diego; del Pozo, Gonzalo; Arredondo, Belen; Hernandez-Balaguera, Enrique; Romero, Beatriz

Afiliaciones

Univ Rey Juan Carlos, Dept Elect Technol, Mostoles 28933, Spain - Autor o Coautor

Resumen

The appearance of kinks in the fourth quadrant of current-voltage curves decreases dramatically the efficiency of photovoltaic solar cells (SCs). These S-shaped J-V curves have been successfully reproduced using different lumped-parameter equivalent circuits, composed of two or more diodes. In this work, Mazhari's three-diode equivalent circuit is used to model the S-shaped J-V curves of perovskite SCs numerically simulated with Silvaco ATLAS TCAD. The simulated cell structure is fluorine-doped tin oxide (FTO)/TiO2/MAPbl(3)/2,2 ,7,7 -tetrakis [N,N-di (4-methoxyphenyl) amino]-9, 9 -spirobifluorene (Spiro-OMeTAD)/Au and, in order to reproduce J-V curves with a kink, perovskite carrier mobility has been decreased below 0.25 cm(2) /(V. s) and defect density in the active layer has been increased above 1 x 10(14) cm (3) . For each parameter, J-V curves have been simulated for different AM1.5 irradiation levels, from dark conditions up to 2 suns. For each device, a set of circuital parameters has been obtained independent of irradiation level. The dependence of Mazhari's circuit parameters on both carrier mobility and defect density will be discussed.

Palabras clave

> <tex-math notation="latex">$\textit{i}$</tex-math> </inline-formula>–<inline-formula xmlns:ali="> <tex-math notation="latex">$\textit{v}$</tex-math> </inline-formula> characteristicCircuit simulationElectrochemical impedance spectroscopyEquivalent circuitsIntegrated circuit modelingIntegrated circuitsMazhari's equivalent circuitMazhari’s equivalent circuitNumerical modelsNumerical simulationsPerformancePerovskitePerovskite solar cellPerovskite solar cellsPerovskite solar cells (pscs)PerovskitesPhotovoltaic cellsRadiative recombinationS-shapedS-shaped <inline-formula xmlns:ali="S-shaped i-v characteristicsSilvacoSilvaco atlas tcadSolar power generationSunTiming circuitsXmlns:mml="Xmlns:xlink="Xmlns:xsi="

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista Ieee Transactions On Electron Devices debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2022, se encontraba en la posición 66/160, consiguiendo con ello situarse como revista Q2 (Segundo Cuartil), en la categoría Physics, Applied. Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada en el Cuartil Q2 para la agencia Scopus (SJR) en la categoría Electrical and Electronic Engineering.

2025-07-16:

  • WoS: 2
  • Scopus: 2

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-07-16:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 7.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 13 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 1.
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 1 (Altmetric).

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Pérez Martínez, José Carlos) y Último Autor (Romero Herrero, Beatriz).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido Pérez Martínez, José Carlos.